특허검색| 기술분류 | 전기ㆍ전자 > 반도체소자 및 시스템 > 기타 반도체 소자 |
| 출원명칭 | 균일한 턴-오프 특성을 갖는 MCT 소자 및 그 제조 방법 |
| 출원번호 | 2021-0078878 |
| 출원일자 | 2021-06-17 |
| 등록명칭 | 균일한 턴-오프 특성을 갖는 MCT 소자 및 그 제조 방법 |
| 등록번호 | 2509083 |
| 등록일자 | 2023-03-07 |
| 초록내용 | 본 발명은 모스 구동 사이리스터 (MCT, MOS Controlled Thyristor)에 있어서, MCT 소자의 전류구동 능력을 결정하는 짧은 채널길이의 off-FET을 MCT 소자의 모든 영역에서 동일한 환경을 갖도록 디자인하고, 스페이서 형성과 제거(spacer formation and recession) 방법의 자기정렬 공정을 이용하여 형성함으로써 전력구동 능력과 소자동작의 균일도(uniformity)를 향상시킬 수 있다. 또한 off-FET의 채널영역에 선택적으로 채널이온주입을 진행할 수 있어 낮은 게이트전압에서 off-FET을 턴-온시켜 MCT의 턴-오프 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 0V의 게이트전압에서 턴-오프가 가능한 MCT 소자 및 그 제조방법을 제시하였다. |