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기술분류 전기ㆍ전자 > 반도체소자 및 시스템 > Si 소자
출원명칭 반도체 및 그 제조 방법
출원번호 2023-095039
출원일자 2023-06-08
등록명칭 반도체 및 그 제조 방법
등록번호 7625641
등록일자 2025-01-24
초록내용 본 발명은 반도체 기판에 채널 적층형 게이트 올 어라운드 전계 효과 트랜지스터 (GAA-FET) 소자의 구조 및 이의 제조 방법을 제공한다