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○ 5G 및 5G+ 이동통신 서비스 진화에 따른 이동통신용 광네트워크 망의 용량증대에 따른 고속 광소자 부품 요구 증대 및 기술 개발 필요성 증대
- CPRI 표준규격 기반의 LTE-A기술은 최대 10Gbps급 광소자 부품을 기반으로 하는 이동통신 네트워크기술에 의존하였지만, 5G 서비스를 지원하기 위해 요구되는 트래픽 용량을 감당하기 위해서는 eCPRI/CPRI option10기반의 25Gbps 이상급의 광소자 부품이 요구됨
- 25G InAlGaAs o-band DFB 레이저 칩 및 모듈기술은 광통신 및 응용기기의 핵심 부품으로 이용되며, 국내 산업체 기술이전을 통하여 광통신망 구축에 따른 수입비용을 핵심부품 국산 자체 공급을 담당함으로써 수입대체 효과가 매우 큼

5G 및 5G+ 이동통신 서비스 진화에 따른 이동통신용 광네트워크 망의 용량증대에 따른 고속 광소자 부품 요구 증대 및 기술 개발 필요성 증대
- CPRI 표준규격 기반의 LTE-A기술은 최대 10Gbps급 광소자 부품을 기반으로 하는 이동통신 네트워크기술에 의존하였지만, 5G 서비스를 지원하기 위해 요구되는 트래픽 용량을 감당하기 위해서는 eCPRI/CPRI option10기반의 25Gbps 이상급의 광소자 부품이 요구됨
- 25G InAlGaAs o-band DFB 레이저 칩 및 모듈기술은 광통신 및 응용기기의 핵심 부품으로 이용되며, 국내 산업체 기술이전을 통하여 광통신망 구축에 따른 수입비용을 핵심부품 국산 자체 공급을 담당함으로써 수입대체 효과가 매우 큼

○ DML (diretly modulated lasers) 소자의 특징
: 전류 주입 변조 방식으로 소자 구조가 단순하며, 고출력 특성에 장점
: O-band 대역에서 동작하여 변조 신호의 파장 떨림 (chirp) 때문에 장거리 전송 시 광섬유 내 분산에 의한 신호왜곡이 큰 통상적인 DFB칩의 단점이 매우 적음

○ 25G 직접변조에 의한 고속 소자 기술
: 25G 고속 동작 칩 및 sub-mount 설계 기술
: 고출력 동작 설계 기술
: 파장 수율 향상을 위한 파장제어 기술
: 높은 신호 소광비 설계 기술
: InAlGaAs 기반의 고온 동작 설계 기술

○ 25G 동작 칩 기술
: 재성장 없는 25G 고속 동작 칩 기술
: 열 방출 공정 기술
: 파장제어 공정 기술

○ 광소자 칩 정특성 및 동특성 분석기술
: 소자 동특성 시험 평가 및 분석기술
: 소자 정특성 시험 평가 및 분석기술

단계 : 5 기술의 성숙도란?

(1) 기술적 측면
- 25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 광소자 개발 및 생산 능력 보유
- InGaAlAs를 이용한 laser 제품 Product의 다양화
- 1310nm O-band 대역외에 c-band 대역등으로 파장 확장 가능
- 다양한 유.무선 엑세스 망 적용을 위한 광 링크 기반 기술 초석

(2) 경제적, 산업적 측면
- 5G, 5G+ 무선 통신용 핵심 광원 확보: 국내 산업 경쟁력 확보
- InAlGaAs 기반의 소자/부품 국산화에 따른 해외 수입 의존 탈피

(3) 사회적 측면
- 5세대 무선 통신망에 도입에 따른 4차 산업 활성화
- 유비쿼터스 통신망 구현으로 정보 통신 사업의 활성화
- 국가적 정보 인프라 업그레이드

○ 기술명: 25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩 기술
- 변조속도: 25Gbps @ NRZ
- 동작파장: O-band 내 CWDM/DWDM 적용 가능 파장
- 소광비: 5 dB 이상
- 광출력: + 3dBm 이상 @ 50 oC, 60 mA
- 동작온도: -40 ~ +85 oC
- 칩 구조: 칩 단일모드 수율을 고려하여, 양면 AR/AR coating 구조를 채택함
나. 기술이전의 범위

1) ETRI 개발 “ 25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩 기술“ 관련 지재권 제공
○ 특허 통상 실시권 제공
- “OPTICAL SIGNAL GENERATING APPARATUS AND OPERATING METHOD THEREOF”, 10,291,327(등록)
- TUNABLE SEMICONDUCTOR LASER AND OPERATION METHOD THEREOF, 16/539,665 (출원)
- HIGH-OUTPUT POWER QUARTER-WAVELENGTH SHIFTED DISTRIBUTED FEEDBACK LASER DIODE, 16/561,420 (출원)
- 고출력 위상 천이 분포 궤환 레이저 다이오드, 2019-0080136(출원)
- 파장가변 반도체 레이저 및 그것의 동작 방법, 2018-0173892(출원)
- 파장 가변 레이저 소자, 2017-0175558(출원)
- 단일모드 분포궤환 레이저 다이오드, 2017-0162241(출원)
- 광 신호 생성 장치 및 그것의 동작 방법, 2017-0178771(출원)

○ 기술문서 제공
- 5GDFH-25GInAlGaAs_DFB(기술이전)-요구사항 정의서_v1.2
- 5GDFH-25GInAlGaAs_DFB(기술이전)-시험절차 및 시험결과서_v1.2
- 5G DFH-DEV-13um_InAlGaAs Strained QW_V.3.0, [3210-2018-02315]
- 5G DFH-DEV-13um DML_LDM_V.3.0, [3210-2018-02316]
- 5G DFH-DEV-직접변조소자 Epi 설계서_v1.0, [3220-2018-03688]
- 5GDFH-DEV-서브마운트설계서_v4.0, [4410-2019-01215]
- 5G DFH-DEV-레이저 DC 특성 측정 셋업_V.1.0, [3204-2016-01645]
- 5G DFH-DEV-직접변조소자 공정 설계서_v2.0, [3220-2017-03881]
- 5G DFH-DEV_O-band직접변조소자 개발 기술문서-V.3.0, [3220-2018-03741]
- 5G DFH-DEV_O-band직접변조소자 개발_V.1.0, [4410-2019-01210]
- 5G DFH-DEV-시험인증절차서-v4.0, [4410-2019-01216]
- 5G DFH-DEV_O-band직접변조소자 측정 기술문서-V.3.0, [3220-2018-03742]
- 5G DFH-DEV-DML 시험 결과서-v4.0, [4410-2019-01224]
- 5G DFH-DEV-C-Band 직접변조소자특성분석_v1.0, [4410-2019-01213]
- 5G DFH-DEV-DML 시험분석서-v2.0, [3220-2017-03929]

- “25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩” 광소자 (ETRI 자체개발 구조) 이전 기술 성능 규격 데모

2) “25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩“ 광소자 기술 관련 교육
○ 월 2회 이상 기술이전 관련 교육
○ “25Gbps InAlGaAs O-band DFB 레이저 칩 기술“ 광소자 기술 개발 연구원 파견 및 교육
; 설계 기술, 공정기술, 성능규격 시험분석 기술 및 광 모듈 적용 지원 등

○ 기술이전 일정 계획
* 기간: 2020. 9. 1 ~ 2020.9. 30

비독점적 통상실시권 계약체결일로부터 5 년간 ※ 착수기본료(단위:천원)

구분	중소기업	중견기업	대기업
착수기본료	100,000	200,000	200,000
매출정률사용료(%)	1.25	3.75	5

개월 / 0 천원정(부가세 별도)

기술개발 발표당시	광통신부품연구실 권오균 (042-860-6026, okyun@etri.re.kr)
현재	광통신부품연구실 권오균 (042-860-6026, okyun@etri.re.kr)

기술이전실 주명혁 (042-860-5838, mhju@etri.re.kr)